序言自南芯2019年推出国内首款高压电荷泵IC——SC8551后,一跃成为电荷泵领域的佼佼者,乘胜追击南芯推出集成多种快充协议的SC854x,以及各种不同拓扑架构的电荷泵产品,奠定了南芯在国产电荷泵IC领域绝对的领先地位。 近期,南芯宣布推出单芯片120W超高压电荷泵充电产品——SC8571,这款产品的问世,无疑满足了电荷泵领域对于超大功率芯片的需求,同时这款芯片将会再一次实现国产同类产品率先量产。众所周知,电荷泵是当前手机大功率充电的唯一解决方案。随着充电功率进一步加大,充入电芯的电流也越来越大,于是提高电芯的电压也成为一种新的选择。当业界把双串电池的方案应用于手机之后,USB口的输入电压上限就可以进一步提高到20v,这种方案从架构上来讲,和SC8551的2:1基本一致,但输入输出的电压同时被提高,所以一般称为“超高压4:2电荷泵”。真正意义的第二代电荷泵,为非传统2:1的异形架构方案,比如用在大功率无线充电前端的30v输入6:2电荷泵架构方案,以及20v输入给单电芯充电的4:1电荷泵架构方案,南芯也有相应的产品布局,敬请期待。目前手机界能做到的最大功率和最高效率的充电方案,为“超高压4:2电荷泵”搭配双串电芯方案。南芯的SC8571可实现业界同类产品的最大功率,单芯片可以支持到120w充电规格。通常情况下,为保证手机的散热性能和用户体验,120w到160w一般会采用2...
发布时间: 2021 - 09 - 06
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上海南芯半导体科技有限公司(以下简称南芯)受邀参加7月30日由充电网主办的2021全球第三代半导体快充产业峰会。本次峰会汇聚了众多氮化镓、碳化硅企业,以及多家第三代半导体快充控制芯片供应商、方案商等。在展会上,南芯展出了全部自主研发的氮化镓快充方案,基于SC3056合封氮化镓芯片+SC3503同步整流控制器+SC2151A协议芯片,实现了氮化镓快充全面国产化。南芯半导体AC-DC专案经理 高建龙先生在本次大会上发表了《集你所需,方寸汇聚高能 -- 南芯半导体GaN PD快充方案介绍》他主要介绍了南芯作为氮化镓快充控制器国产化的领头羊,率先实现了氮化镓控制芯片的自主可控,最早量产了集成GaN直驱的控制器,现已推出系列化的产品,满足不同的应用场景:30W功率级氮化镓快充方案(SC3021D+SC3503+SC2151A);33W功率级氮化镓快充方案(SC3056+SC3503+SC2151A)65W氮化镓快充方案(SC3021A/C+SC3503+SC2151A);单口、多口、集成GaN的多种快充方案。南芯氮化镓控制芯片已在紫米、努比亚、意象等大厂成功量产。南芯推出的高集成氮化镓合封芯片,代表着充电器上的尖端科技。不同于其他厂商的合封氮化镓芯片,南芯的合封芯片通过搭配合适的氮化镓芯片和控制器,来实现器件性能最优化,成本最优化,从而避免了器件性能上的浪费,降...
发布时间: 2021 - 08 - 12
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作为氮化镓快充控制器国产化的先驱,南芯率先实现了氮化镓控制芯片的自主可控,成功量产了集成GaN直驱的控制器,得到了行业的广泛认可,现已推出系列化的产品,满足多种应用场景。为了应对中小功率的PD快充电源市场,南芯推出了高集成度的氮化镓功率芯片 SC3050/SC3056,将控制器、驱动、GaN集成在一起,采用DFN5x6小体积封装。氮化镓与传统硅功率器件相比,最大的优势在于高频,但是高频下极易出现串扰,南芯推出合封的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056,集成450mΩ/650V GaN功率器件,独特的EPAD设计用于大电流和最好的电气性能,引脚功能区块化,简化PCB设计,得到极小化PCB面积和更好的热体验。集成了分段式供电,应对超宽输出电压范围,让外围电路变得更加精简,在产品开发应用过程中减少PCB占板面积,实现快充电源产品的小型化。SC305x将助力于实现快充电源产品的小型化。Features 1——  高性能控制器、低阻抗GaNSC305x是南芯高性能SSR控制器与GaN功率器件的完美结合,更加利于发挥GaN器件低阻抗、低开关损耗的优良性能;QR工作模式,可支持170kHz开关频率;提高系统的功率密度,满足日趋小型化的需求;特有的降频策略,使得全功率范围获得理想的转换效率。Features 2——  集成分段式供电,适应超宽输出电压范围...
发布时间: 2021 - 08 - 04
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南芯受邀参加3月26日由充电头网主办的2021年春季USB PD&Type-C亚洲展。本次展会汇聚近百家产业链优质供应商、服务商,以及上千家采购商。3月26号当日USB PD&Type-C展会吸引了来自全球各个领域电源企业和工程师参会前来探讨与了解,南芯作为参展商之一,在此次展会与同行分享了南芯USB-PD快充适配器全新解决方案。展会现场前来咨询的人群络绎不绝,南芯在此次展会上针对USB-PD适配器市场,现已推出基于不同平台的多种组合解决方案,助力客户打造高功率密度、高安全、高可靠性的快充产品。南芯半导体AC-DC专案经理 高建龙先生在本次大会上发表了《南芯半导体USB-PD快充适配器解决方案》主题演讲。他主要介绍了目前南芯USB PD快充系列方案可以实现18W-125W全覆盖,并提供了相应的DEMO参考设计。对于20W快充南芯可提供SC3001B+SC3512解决方案;33W级常规(氮化镓)快充可提供SC3002C/SC302xD+SC351x解决方案;对于55W-120W中大功率氮化镓充电器,南芯提供SC302xx+SC350x解决方案;其中SSR控制器采用SC3002x/SC3005x的话,可用于设计55-65W常规充电器。除快充方案外,南芯还可提供相对应功率段协议IC SC2101P、SC2002x、SC2151A和SC9711等,组成全套快充方案。南芯推出的USB...
发布时间: 2021 - 03 - 31
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1月16日, 由中国半导体投资联盟、集微网共同举办的“2021中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼”在北京正式举行,上海南芯半导体科技有限公司荣获“年度技术突破奖”的殊荣。南芯联合创始人兼CTO卞坚坚受邀出席了此次盛宴。在接受采访时他表示:“感谢业界对南芯成立以来在充电领域做出突出成绩给予的肯定,南芯会一如既往秉承为业内提供高性能、高品质与高经济效益的完整IC系统解决方案的初衷,为客户提供最优质的产品以及最完善的售后服务,持续助力国产芯片行业的发展。”本次盛会以“聚沙成‘芯’,‘硅’步千里”为主题,由中国半导体投资联盟129家会员单位及数百位半导体行业CEO共同担任评委,以权威性、创新性、成长性、持续性为评选标准,旨在鼓励和表彰在过去一年中,在半导体技术创新和产品设计制造、行业资本管理及运作、产业链上下游集群建设等方面,做出突出贡献、取得优异成绩的机构与个人,通过资本为产业赋能,积极为中国半导体企业的加速发展提供助力,增强我国半导体产业的竞争力。“年度技术突破”奖项旨在表彰不断精进制造,攻克难关,实现产业工艺技术创新突破,推动全球科技潮流向前迈进的企业。南芯作为快充行业的领头羊,2020年在手机大功率电荷泵充电领域实现了跨越式突破,特别是SC8551这款产品,作为国内首款双模电荷泵充电器,率先在品牌手机客户中实现量产。该产品经过品牌客户的单板测试、整机测试、小批量试产等严...
发布时间: 2021 - 01 - 21
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