交叉参考搜索
登录
/
注册
简体中文
产品
应用方案
质量与可靠性
技术与服务
关于南芯
SC5516C
集成MOSFET的单节高精度锂离子/聚合物电池保护芯片
销售咨询
申请样片
SC5516C
SC5516C是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能,包括电池过压保护及电池欠压保护,充放电过流保护和负载短路保护等。SC5516C只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻,可以有效地减少空间和成本,特别是有限的空间的电池应用。SC5516C特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson,有效保证高精度电压/电流检测及延时电路,避免电池过充/过放。因此,电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5516C的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低Rdson MOSFET确保电池可以提供最大能量。SC5516C采用SOT-23-5封装。
SC5516C是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能,包括电池过压保护及电池欠压保护,充放电过流保护和负载短路保护等。SC5516C只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻,可以有效地减少空间和成本,特别是有限的空间的电池应用。SC5516C特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson,有效保证高精度电压/电流检测及延时电路,避免电池过充/过放。因此,电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5516C的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低Rdson MOSFET确保电池可以提供最大能量。SC5516C采用SOT-23-5封装。
产品详情
设计和开发
技术文档
应用方案
参数
封装/引脚/尺寸
特性
通知和说明
产品详情
参数
封装/引脚/尺寸
特性
通知和说明
技术文档
参数名称
参数数值
VOCV(V)
4.275
VOCV hys. (mV)
200
VODV (V)
2.8
VODV hys. (mV)
200
tDOC1 (ms)
16
tCOC (ms)
16
tOCV (ms)
256
参数名称
参数数值
tODV (ms)
80
Support cell
1
Rsson(mΩ)
19
IODC(A)
5.2
IOCC(A)
4.8
0V charging
√
Package
SOT23-5
参数名称
参数数值
VOCV(V)
4.275
VOCV hys. (mV)
200
VODV (V)
2.8
VODV hys. (mV)
200
tDOC1 (ms)
16
tCOC (ms)
16
tOCV (ms)
256
tODV (ms)
80
Support cell
1
Rsson(mΩ)
19
IODC(A)
5.2
IOCC(A)
4.8
0V charging
√
Package
SOT23-5