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SC5510J
集成MOSFET的单节高精度锂离子/聚合物电池保护芯片
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SC5510J
SC5510J是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能,包括电池过压保护及电池欠压保护,充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510J只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻,可以有效地减少空间和成本,特别是有限的空间的电池应用。SC5510J特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson,有效保证高精度电压/电流检测及延时电路,避免电池过充/过放。因此,电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510J的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低Rdson MOSFET确保电池可以提供最大能量。SC5510K采用8 pin 2X2 DFN(FC)封装。
SC5510J是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能,包括电池过压保护及电池欠压保护,充放电过流保护和负载短路保护等。SC5510J只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻,可以有效地减少空间和成本,特别是有限的空间的电池应用。SC5510J特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson,有效保证高精度电压/电流检测及延时电路,避免电池过充/过放。因此,电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5510J的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低Rdson MOSFET确保电池可以提供最大能量。SC5510K采用8 pin 2X2 DFN(FC)封装。
产品详情
设计和开发
技术文档
应用方案
参数
封装/引脚/尺寸
特性
通知和说明
产品详情
参数
封装/引脚/尺寸
特性
通知和说明
技术文档
参数名称
参数数值
VOCV(V)
4.275
VOCV hys. (mV)
200
VODV (V)
2.5
VODV hys. (mV)
400
tDOC1 (ms)
8
tCOC (ms)
8
tOCV (ms)
128
参数名称
参数数值
tODV (ms)
40
Support cell
1
Rsson(mΩ)
9
IODC(A)
5
IOCC(A)
5
0V charging
√
Package
DFN 2x2-8L
参数名称
参数数值
VOCV(V)
4.275
VOCV hys. (mV)
200
VODV (V)
2.5
VODV hys. (mV)
400
tDOC1 (ms)
8
tCOC (ms)
8
tOCV (ms)
128
tODV (ms)
40
Support cell
1
Rsson(mΩ)
9
IODC(A)
5
IOCC(A)
5
0V charging
√
Package
DFN 2x2-8L