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SC5510H
集成MOSFET单节锂电池的高精度保护器
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SC5510H
SC5510H是一颗高度集成的单电芯锂电池保护的集成电路。它集成了充放电控制 MOSFET,并提供电池保护功能,包括电池过压保护和欠压保护,充放电电流保护和负载短路保护等。SC5510H只需要外围搭配1颗电阻电容即可工作,外围简洁,可以很轻松地应对PCB面积狭窄的应用。SC5510H特别针对了在不同温度和不同电池电压下的Rdson变化补偿,有效地确保了高精度电压/电流的检测和延迟电路,从而避免电池过度充电/过度放电。因此,电池能够在安全区域使用,有效延长使用寿命。SC5510H正常工作下只消耗非常低的待机电流从而保证电池的长期存储。集成的低导通内阻 MOSFET确保电池提供更多的功率 。SC5510H采用8 pin 2x2 DFN超小封装 。
SC5510H是一颗高度集成的单电芯锂电池保护的集成电路。它集成了充放电控制 MOSFET,并提供电池保护功能,包括电池过压保护和欠压保护,充放电电流保护和负载短路保护等。SC5510H只需要外围搭配1颗电阻电容即可工作,外围简洁,可以很轻松地应对PCB面积狭窄的应用。SC5510H特别针对了在不同温度和不同电池电压下的Rdson变化补偿,有效地确保了高精度电压/电流的检测和延迟电路,从而避免电池过度充电/过度放电。因此,电池能够在安全区域使用,有效延长使用寿命。SC5510H正常工作下只消耗非常低的待机电流从而保证电池的长期存储。集成的低导通内阻 MOSFET确保电池提供更多的功率 。SC5510H采用8 pin 2x2 DFN超小封装 。
产品详情
设计和开发
技术文档
应用方案
参数
封装/引脚/尺寸
特性
通知和说明
产品详情
参数
封装/引脚/尺寸
特性
通知和说明
技术文档
参数名称
参数数值
VOCV(V)
4.4
VOCV hys. (mV)
200
VODV (V)
2.8
VODV hys. (mV)
400
tDOC1 (ms)
8
tCOC (ms)
8
tOCV (ms)
128
参数名称
参数数值
tODV (ms)
40
Support cell
1
Rsson(mΩ)
9
IODC(A)
7
IOCC(A)
6
0V charging
√
Package
DFN 2x2-8L
参数名称
参数数值
VOCV(V)
4.4
VOCV hys. (mV)
200
VODV (V)
2.8
VODV hys. (mV)
400
tDOC1 (ms)
8
tCOC (ms)
8
tOCV (ms)
128
tODV (ms)
40
Support cell
1
Rsson(mΩ)
9
IODC(A)
7
IOCC(A)
6
0V charging
√
Package
DFN 2x2-8L